- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
这款东芝的N沟道硅MOS型场效应晶体管适用于高速开关和模拟开关应用。它采用小封装，适合高密度安装，具有低导通电阻的特性，在VGS = 4V时，R₀ₙ最大为4.0Ω；在VGS = 2.5V时，Rₒₙ最大为7.0Ω。
商品特性
- 小封装，适合高密度安装
- 低导通电阻：R₀ₙ（VGS = 4V）最大为4.0Ω；Rₒₙ（VGS = 2.5V）最大为7.0Ω
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用
- SSQ-127-23-F-S
- SSQ-133-02-L-D
- SSQ-144-21-L-T
- SSW-105-22-G-D-VS-N-K-TR
- SSW-109-01-L-D-LL
- SSW-115-22-S-D-LL
- ST-1210-4
- ST-RJ45-PASS-R-DIN
- ST-SD-USDV2.0
- ST-SOT23-5
- JBXSR3G14FSSDSMR
- JL-400-25-T
- JL04V-2E32-17PE-B-R
- JN1AS10ML1-R
- JT00A-10-13SB(424)
- JT00A-10-13SC(386)
- JT00A-10-5P(416)
- JT00A-10-5SD(386)
- JT00A-12-3PC(340)
- JT00A-12-3SC(382)
- JT00A-12-4PA(423)