AT25DF041B-XMHN-T
4-Mbit,1.65V最小电压SPI串行闪存，支持双I/O
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25DF041B-XMHN-T
- 商品编号
- C21852601
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品概述
Adesto AT25DF041B是一款串行接口闪存设备，专为各种高容量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF041B灵活的擦除架构及其页擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25DF041B的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独存放在各自的擦除区域中，因此可以大大减少大扇区和大块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用的内存空间。这种提高的内存空间效率允许在保持相同总体设备密度的同时添加额外的代码例程和数据存储段。该设备还包含一个专用的OTP（一次性可编程）安全寄存器，可用于诸如唯一设备序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等目的。AT25DF041B专为多种不同系统设计，支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作。编程和擦除无需单独的电压。
商品特性
- 单1.65V - 3.6V电源供电
- 兼容串行外设接口（SPI）
- 支持SPI模式0和3
- 支持双I/O操作
- 最高104MHz工作频率
- 时钟到输出时间(tV)为6ns
- 针对代码+数据存储应用的灵活、优化的擦除架构
- 小（256字节）页擦除
- 统一4KB块擦除
- 统一32KB块擦除
- 统一64KB块擦除
- 全芯片擦除
- 通过WP引脚对受保护扇区进行硬件控制锁定
- 128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 64字节工厂编程唯一标识符
- 64字节用户可编程
- 灵活编程
- 字节/页编程（1至256字节）
- 双输入字节/页编程（1至256字节）
- 顺序编程模式能力
- 快速编程和擦除时间
- 典型页编程（256字节）时间1.25ms
- 典型4KB块擦除时间35ms
- 典型32KB块擦除时间250ms
- 典型64KB块擦除时间450ms
- 自动检查和报告擦除/编程失败
- 软件控制复位
- JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
- 低功耗
- 典型200nA超深度掉电电流
- 典型5μA深度掉电电流
- 典型25μA待机电流
- 典型4.5mA有源读取电流
- 耐用性：100,000次编程/擦除循环
- 数据保留：20年
- 符合全工业温度范围
- 行业标准绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项
- 8引脚SOIC（150密耳）
- 8焊盘超薄DFN（2 x 3 x 0.6mm）
- 8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6mm）
- 8引脚TSSOP封装
- 8球WLCSP（3 x 2 x 3球矩阵）