AT25DF041B-XMHN-T
4-Mbit,1.65V最小电压SPI串行闪存,支持双I/O
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25DF041B-XMHN-T
- 商品编号
- C21852601
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护 |
商品概述
AT25DF041B是一款串行接口闪存设备,设计用于各种大批量消费类应用,其中程序代码从闪存影子复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF041B的灵活擦除架构,具有页擦除粒度,也适用于数据存储,消除了对额外数据存储设备的需求。AT25DF041B的擦除块大小经过优化,以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小,可以更高效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在自己的擦除区域中,因此可以大大减少大型扇区和大型块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用内存空间。这种提高的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段,同时保持相同的整体设备密度。该设备还包含一个专用的OTP(一次性可编程)安全寄存器,可用于设备序列化、系统级电子序列号(ESN)存储、锁定密钥存储等。专为在许多不同系统中使用而设计,AT25DF041B支持读、编程和擦除操作,电源电压范围宽达1.65V至3.6V。编程和擦除无需单独电压。
商品特性
- 单电源1.65V至3.6V
- 串行外设接口(SPI)兼容
- 支持SPI模式0和3
- 支持双I/O操作
- 104MHz最大工作频率
- 时钟到输出时间(tV)为6 ns
- 灵活、优化的擦除架构,适用于代码和数据存储应用
- 小(256字节)页擦除
- 统一4千字节块擦除
- 统一32千字节块擦除
- 统一64千字节块擦除
- 全芯片擦除
- 通过WP引脚硬件控制保护扇区锁定
- 128字节一次性可编程(OTP)安全寄存器
- 64字节工厂编程,具有标识符
- 64字节用户可编程
- 灵活编程
- 字节/页编程(1至256字节)
- 双输入字节/页编程(1至256字节)
- 顺序编程模式能力
- 快速编程和擦除时间
- 1.25ms典型页编程(256字节)时间
- 35ms典型4千字节块擦除时间
- 250ms典型32千字节块擦除时间
- 450ms典型64千字节块擦除时间
- 自动检查和报告擦除/编程失败
- 软件控制复位
- JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
- 低功耗
- 200nA超深功耗下降电流(典型)
- 5μA深功耗下降电流(典型)
- 25μA待机电流(典型)
- 4.5mA主动读取电流(典型)
- 耐久性:100,000次编程/擦除周期
- 数据保持:20年
- 符合全工业温度范围
- 行业标准绿色(无铅/无卤化物/RoHS兼容)封装选项
- 8引线SOIC(150密耳)
- 8焊盘超薄DFN(2 x 3 x 0.6毫米)
- 8焊盘超薄DFN(5 x 6 x 0.6毫米)
- 8引线TSSOP封装
- 8球WLCSP(3 x 2 x 3球矩阵)

