SIC830ED-T1-GE3

80A智能功率级，带电流感应和温度监测

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC830ED-T1-GE3
商品编号: C21826833
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SiC830是一款集成电源级解决方案，针对同步降压应用进行优化，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。该器件采用5毫米×6毫米MLP封装，支持电压调节器设计实现每相超过80安培的电流输出。其内部功率MOSFET采用TrenchFET Gen IV技术，有助于显著降低开关和导通损耗。SiC830集成了一个先进的MOSFET栅极驱动器IC，具备高电流驱动能力、自适应死区时间控制和集成自举开关。该驱动器兼容多种PWM控制器，支持3.3伏和5伏三态PWM逻辑。通过GLCTRL信号可在轻载时启用二极管仿真模式。该器件还集成了电流监测功能，可实时按比例输出电感电流（IMON）。温度监测功能可向系统指示电源级内部温度（TMON），并可在需要时用于将系统运行调节至更安全的水平。此外，该器件还集成了诸如高侧FET过流、过热和高侧MOSFET短路等故障警报。

商品特性

采用散热增强型PowerPAK MLP56-39L封装
通过低侧MOSFET中集成的肖特基二极管优化MOSFET开关性能
支持高达80安培的连续电流
支持高达2兆赫兹的高频工作
功率MOSFET针对12伏至19伏输入级和10%至15%占空比操作进行优化
支持3.3伏/5伏三态和保持关断PWM逻辑
PWM最小可控导通时间为30纳秒
通过GLCTRL引脚在轻载时启用二极管仿真模式，实现全负载范围内的高效率
低PWM传播延迟（小于20纳秒）
集成电流感应监测（IMON）
集成温度监测（TMON）
提供过热警报
提供高侧MOSFET过流和短路警报
具备VDRV和BOOT欠压锁定功能

应用领域

同步降压转换器
用于CPU、GPU和存储器的多相电压调节模块
直流/直流电压调节模块

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	-
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	-
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	-

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	-
	工作温度	-
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	内置自举二极管；死区时间控制