S29AS008J70TFI030A
8兆比特1.8伏仅引导扇区闪存
- 商品型号
- S29AS008J70TFI030A
- 商品编号
- C21824355
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 待机电流 | 8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 1000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;上电复位 |
商品特性
- 单电源操作:全电压范围为1.65至1.95伏,适用于电池供电应用的读写操作
- 采用110纳米工艺技术制造
- 安全硅扇区区域:通过8字/16字节随机电子序列号,可通过命令序列访问128字/256字节扇区,用于永久、安全的标识;可在工厂或由客户进行编程和锁定
- 灵活的扇区架构:字节模式下有八个8KB扇区和十五个64KB扇区;字模式下有八个4K字扇区和十五个32K字扇区
- 扇区组保护功能:一种硬件方法,用于锁定扇区,防止该扇区内的任何编程或擦除操作;扇区可在系统内或通过编程设备锁定;临时扇区组解锁功能允许在先前锁定的扇区中进行代码更改
- 解锁旁路编程命令:在发出多个编程命令序列时,可减少整体编程时间
- 提供顶部或底部引导块配置
- 与JEDEC标准兼容:引脚和软件与单电源闪存兼容;具有出色的意外写入保护
- 高性能:访问时间最快可达70纳秒;工业温度范围为 -40°C至 +85°C;字编程时间最快可达6μs(典型值)
- 超低功耗(5MHz时的典型值):自动睡眠模式电流为15μA;待机模式电流为8μA;读取电流为8mA
其他推荐
- S2CL0C-P03MCC0-2000
- S2M-104-02-L-D-K-TR
- S2M-105-02-L-D-LC-TR
- S2M-106-02-S-D-DS
- S2M-108-02-S-D-K-TR
- S2M-115-02-F-D-DS-K-TR
- S31B0C-P08MFG0-7000
- S31F1C-P05MJH0-6500
- S31F1C-P08MFG0-1500
- S32B0C-P05MPH0-7500
- S32F1C-P03MSN0-3500
- S3AF1C-P12MFG0-4500
- S40F1C-P04MFD0-500S
- S40F1C-P04MFG0-150S
- S40F1C-P05LFG0-450S
- S41B0C-P05MJG0-500S
- S41F1C-P02MPH0-350S
- S41F1C-P05MJH0-550S
- S41F1C-P07MFG0-250S
- S5U1C17001H2100
- S8-10R-T
