MT53E768M64D4HJ-046 WT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E768M64D4HJ-046 WT:C
- 商品编号
- C21818974
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 48Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 40mA | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心和I/O电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
- VDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
- 频率范围：2133 - 10MHz（每引脚数据速率范围：4266 - 20Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道有8个内部存储体用于并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道的双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
- 针对并发存储体操作和易于命令调度的按存储体定向刷新
- 每个裸片x16通道最高达8.5GB/s
- 片上温度传感器以控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程的VSS（ODT）终端
- 支持单端CK和DQS