ISL6545AIRZ-T

ISL6545、ISL6545A 能轻松为采用同步降压拓扑结构、驱动 N 沟道 MOSFET 的 DC/DC 降压转换器实现完整的控制与保护方案。由于它能在 5V 或 12V 电源下工作，因此这一款 IC 可用于系统内的各种应用。ISL6545、ISL6545A（以下除非必要，均简称为“ISL6545x”）将控制、栅极驱动器、输出调节、监控和保护功能集成到一个 8 引脚 SOIC 或 10 引脚 DFN 封装中。 ISL6545x 提供单反馈环路、电压模式控制，具有快速瞬态响应。输出电压可精确调节至低至 0.6V，在温度和线电压变化时，最大容差为 ±1.0%。可选的固定频率振荡器（ISL6545 为 300kHz；ISL6545A 为 600kHz）降低了设计复杂度，同时平衡了典型应用的成本和效率。 误差放大器具有 20MHz 的增益带宽积和 9V/μs 的压摆率，可实现高转换器带宽，以实现快速瞬态性能。由此产生的 PWM 占空比范围为 0% 至 100%。 通过监测下 MOSFET 的 rDS(ON) 来抑制 PWM 操作，从而提供过流保护。这种方法通过消除对电流检测电阻的需求，简化了实现过程并提高了效率。

• 采用 +5V 或 +12V 电源电压（用于偏置）
• 1.0V 至 12V 输入范围（在有一定限制的情况下最高可达 20V；见输入电压注意事项）
• 0.6V 至 VIN 输出范围
• 集成栅极驱动器使用 VCC（5V 至 12V）
• 0.6V 内部参考电压；±1.0% 容差
• 简单的单环路控制设计
• 电压模式 PWM 控制
• 驱动 N 沟道 MOSFET
• 传统双沿调制器
• 快速瞬态响应
• 高带宽误差放大器
• 完整的 0% 至 100% 占空比
• 无损、可编程过流保护
• 使用下 MOSFET 的 rDS(ON)
• 无铅（符合 RoHS 标准）

• 微处理器或外设电源
  • 个人电脑、嵌入式控制器、内存电源
  • DSP 和核心通信处理器电源
• 子系统电源
  • PCI、AGP；显卡；数字电视
  • SSTL - 2 和 DDR/DDR2/DDR3 SDRAM 总线终端电源
• 电缆调制解调器、机顶盒和 DSL 调制解调器
• 工业电源；通用电源
• 5V 或 12V 输入 DC/DC 稳压器
• 低压分布式电源