IGI60F2727A1LAUMA1

IGI60F2727A1L 集成了一个半桥功率级，由两个 270 mΩ（典型值 R_dson）/600 V 增强型 CoolGaN HEMT 和专用栅极驱动器组成，封装在小型 8×8 mm QFN-28 封装中。因此，在低至中等功率区域，它非常适合支持高密度 AC/DC 充电器和适配器的设计，利用 CoolGaN HEMT 的开关行为。CoolGaN 及相关功率开关提供非常稳健的栅极结构。当在“开启”状态下由几毫安的连续栅极电流驱动时，始终保证最小导通电阻 R_dson。由于 GaN 特有的低阈值电压和快速开关瞬态，在某些应用中需要负栅极驱动电压，以实现快速关断并避免交叉导通效应。这可以通过驱动器和开关之间众所周知的 RC 接口实现。几个外部 SMD 电阻和电容可实现轻松适应不同的功率拓扑。驱动器采用片上无芯变压器技术（CT）实现信号电平移位至高侧。此外，CT 保证即使在超过 300 V/ns 的极快开关瞬态下也具有稳健性。

• 两个 270 mΩ GaN 开关，采用半桥配置，具有专用高侧和低侧隔离栅极驱动器
• 源/灌驱动电流高达 1/2 A
• 应用可配置的开启和关闭速度
• 快速输入到输出传播（典型值 47 ns），具有极小的通道间失配
• PWM 输入信号（开关频率高达 3 MHz）
• 标准逻辑输入电平，兼容数字控制器
• 宽电源范围
• 单栅极驱动器电源电压可能（典型值 8 V），具有快速 UVLO 恢复
• 低侧开漏用于电流检测，带外部分流电阻
• 基于稳健无芯变压器技术的输入到输出隔离
• 栅极驱动器具有非常高的共模瞬态抗扰度（CMTI）>300 V/ns
• 热增强型 8×8 mm QFN-28 封装
• 产品根据 JEDEC 标准完全适用于工业应用
• RoHS

• 充电器和适配器
• 低功率电机驱动
• LED 照明