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NSV1C200LT1G
PNP 电流:2A 电压:100V
- 描述
- 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSV1C200LT1G
- 商品编号
- C232397
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@10mA,2.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@2A,0.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个PNP |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 9000 个)个
起订量：9000 个3000个/圆盘
总价金额：
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