商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 时钟频率(fc) | 250MHz | |
| 功能特性 | 软件写保护功能 |
商品特性
- 接口：HyperBus
- 电源：1.7V ~ 2.0V
- 最大时钟速率：250MHz
- 双倍数据速率（DDR）最高可达500MB/s
- 时钟：
- 单端时钟（CK）
- 差分时钟（CK/CK#）
- 片选（CS#）
- 8位数据总线（DQ[7:0]）
- 硬件复位（RESET#）
- 读写数据选通（RWDS）
- 双向数据选通/掩码
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间作为读取数据选通输出
- 在写入事务期间作为写入数据掩码输入
- 可配置输出驱动强度
- 节能模式：
- 混合睡眠模式
- 深度掉电模式
- 可配置突发特性：
- 线性突发
- 环绕突发长度：
- 16字节（8个时钟周期）
- 32字节（16个时钟周期）
- 64字节（32个时钟周期）
- 128字节（64个时钟周期）
- 混合突发 - 一个环绕突发后接线性突发
- 阵列刷新模式：
- 全阵列刷新
- 部分阵列刷新
- 支持封装：双芯片封装（DDP），两个256M位芯片封装在一个24球TFBGA封装中
- 工作温度范围：-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C