GD5F2GQ5RFYIGY

1G 位 2K+128B 页大小 SPI-NAND 闪存

品牌名称: GigaDevice(兆易创新)
商品型号: GD5F2GQ5RFYIGY
商品编号: C21758151
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-
	待机电流	-
	擦写寿命	-
	功能特性	坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存

商品概述

SPI NAND闪存为嵌入式系统提供了一种极具成本效益的高密度非易失性存储器存储解决方案，其基于行业标准的NAND闪存核心。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代品，并具备先进特性。总引脚数为8个，包含VCC和GND。密度为1Gb。与SPI-NOR相比，具有卓越的写入性能和每比特成本。显著低于并行NAND的成本。这款低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且在不同密度之间始终保持相同的引脚排列。其指令集类似于常见的SPI-NOR指令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加了新特性。该SPI NAND易于集成，其设计特性旨在简化主机管理：用户可选的内部ECC。在页编程操作期间内部生成ECC奇偶校验。当页面被读取到缓存寄存器时，会检测ECC奇偶校验并在必要时纠正错误。即使启用内部ECC，64字节的备用区域仍然可用。器件输出纠正后的数据并返回ECC错误状态。支持内部数据搬移或带内部ECC的复制回操作。器件可以轻松刷新并管理垃圾回收任务，无需数据移入移出。支持带内部ECC的上电读取。器件将在上电后自动将第一个块的第一页读取到缓存中，然后主机可以直接从缓存读取数据以方便启动。当ECC启用时，内部ECC确保数据正确。它通过基于页的操作进行编程和读取，并通过基于块的操作进行擦除。数据以页为单位传输到NAND闪存阵列或从其中传出，传输至数据寄存器和缓存寄存器。缓存寄存器最靠近I/O控制电路，充当I/O数据的数据缓冲器；数据寄存器最靠近存储阵列，充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲器。缓存寄存器作为缓冲存储器，支持页面和随机数据读取/写入以及复制回操作。这些器件还使用SPI状态寄存器来报告器件操作状态。

商品特性

1Gb SLC NAND闪存
组织结构：内部ECC开启时，页大小为2048字节+64字节；内部ECC关闭时，页大小为2048字节+128字节
支持标准、双线、四线SPI及双倍传输速率读取
高速时钟频率：在3.3V、30pF负载下，快速读取频率达133MHz；在1.8V、30pF负载下，快速读取频率达104MHz；在3.3V下，四线I/O数据传输速率高达532Mbps；在1.8V下，四线I/O数据传输速率高达416Mbps
软件/硬件写保护：支持通过软件写保护全部或部分存储器；通过WP#引脚实现寄存器保护；支持掉电锁定保护
单电源供电：1.8V全电压范围为1.7V ~ 2.0V；3.3V全电压范围为2.7V ~ 3.6V
高级安全特性：8KB一次性可编程区域
编程/擦除/读取速度：页编程时间典型值为400us；块擦除时间典型值为3ms；页读取时间最大值为60us
低功耗：最大工作电流为30mA；最大待机电流为50uA
增强的访问性能：2KB缓存用于快速随机读取
NAND高级特性：出厂良好块0
可靠性：带ECC的擦写次数为100K次；数据保持时间为10年
内部ECC：每528字节纠正4位错误

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	-
	接口类型	-
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	-
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-