- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP2033UCB9-7
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 采用具有最低品质因数的LD - MOS技术：RDS(on) = 28mΩ，以最小化导通损耗
- Qg = 5.4nC，实现超快速开关
- VSS(th) = -0.6V（典型值），具有低开启电位
- 采用尺寸为1.5mm×1.5mm的CSP封装
- 高度为0.62mm，实现低外形设计
- 栅极具有3kV HBM静电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 符合AEC - Q101标准，具有高可靠性
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
- DNW21-EW33/GRA
- DP3AR020WQ1R200
- DPS10400AL2
- DR100D254P08
- DR127D254P24
- DR200D254P20
- DR200DR254P04
- DRV604PWPEVM
- DS-980GL-U4A1E
- DTS 20 K 15-97 PB
- DTS20F09-98PA3028
- DTS20F13-04SC
- DTS20F13-04SC-3028
- DTS20F13-4HA
- DTS20F17-06PB-3028
- SG-8101CA 50.1833M-TCHSA0
- SG-8101CA 50.1867M-TBGSA0
- SG-8101CA 50.1933M-TBGSA0
- SG-8101CA 50.2033M-TBGSA0
- SG-8101CA 50.2857M-TCHSA0
- SG-8101CA 50.3067M-TBGPA0