商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阴极 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V@200A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 200A | |
| 反向电流(Ir) | 10uA@600V | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 3kA |
商品概述
GeneSiC半导体的MSRT20060(A)至MSRT200100(A)硅标准恢复二极管，反向重复峰值电压VRRM为600V - 1600V，正向电流IF为200A。
商品特性
- 高浪涌能力
- 最高可达1600V的VRRM类型
- 三塔式封装
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