MD28F010-90/R

Intel的M28F010是一款1024-Kbit字节宽、系统内可重写的CMOS非易失性闪存。它被组织为131,072字节，每字节8位，并提供32引脚密封CERDIP封装。M28F010还提供32触点无引线芯片载体、J型引脚和平面表面贴装封装。它为可更新的非易失性存储器提供了最具成本效益和可靠性的替代方案。M28F010在EPROM技术基础上增加了电擦除和重新编程功能。M28F010的存储内容可以在以下情况下被擦除和重新编程：1) 在插座中；2) 在PROM编程器插座中；3) 在子装配测试期间板上；4) 系统最终测试期间；5) 售后系统内。

M28F010提高了内存灵活性，同时节省了时间和成本。它适用于需要修改代码和数据存储的应用场景，在这些场景下传统EEPROM功能（字节擦除）不是必需的或不够经济。当使用EPROM进行紫外线擦除不切实际或过于耗时的情况下，使用M28F010也是合适的。

• 闪存电气芯片擦除
  • 典型5秒
• 快速脉冲编程算法
  • 典型10微秒字节编程
  • 典型2秒芯片编程
• 单一高电压用于写入和擦除
• CMOS低功耗
  • 最大30毫安活动电流
  • 最大100微安待机电流
• 适用于微处理器/微控制器兼容写接口的命令寄存器架构
• 抗噪声特性
  • ±10
  • 通过EPl工艺实现最大闩锁抗扰度
• ETOx-ll闪存技术
  • EPROM兼容工艺基础
  • 高产量制造经验
  • 与JEDEC标准8位EPROM引脚兼容
• 最小10,000次编程/擦除循环
• 提供三种产品等级：
  • QML：-55℃至+125℃（Tc）
  • SE2：-40℃至+125℃（Tc）
  • SE3：-40℃至+110℃（Tc）
• 1024-Kbit 8位宽、系统内可重写的CMOS非易失性闪存
• 组织为131,072个8位字节
• 提供32引脚密封CERDIP封装、32触点无引线芯片载体、J引线和平面表面贴装封装
• 在EPROM技术基础上增加了电气芯片擦除和重新编程功能
• 存储内容可以在多种场景下擦除和重新编程：
  • 在插座中
  • 在PROM编程器插座中
  • 在子组件测试时在板上
  • 在最终测试时在系统中
  • 出售后在系统中
• 增加了存储灵活性，同时节省时间和成本
• 适用于需要可修改代码和数据存储的应用，而传统EEPROM功能不是必需或不经济
• 适用于EPROM紫外线擦除不切实际或过于耗时的情况
• 命令寄存器允许100
• 命令寄存器仅在Vpp处于高电压时可更改
• 集成停止计时器提供简化的编程和擦除操作定时控制
• 写保护确保命令寄存器仅在Vpp处于高电压时激活
• 总线操作包括读取、输出禁用、待机、智能标识符和写入
• 智能标识符操作输出制造商代码（89H）和设备代码（B4H）
• 设备擦除和编程通过命令寄存器在Vpp引脚施加高电压时完成
• 命令定义包括读取存储器、读取智能标识符代码、设置擦除/擦除、擦除验证、设置编程/编程、编程验证和复位
• 读取命令允许在Vpp高电平时访问存储内容
• 智能标识符命令允许访问制造商和设备代码
• 擦除验证命令在每次擦除操作后验证所有字节
• 设置擦除/擦除命令准备设备进行全阵列电气擦除
• 设置编程/编程命令准备设备进行编程