STI6N62K3

这些SuperMESH3功率MOSFET是在SuperMESHTM技术基础上改进，并结合全新优化垂直结构的成果。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求最为严苛的应用场景。

• 100%雪崩测试
• 极高的dv/dt能力
• 栅极电荷最小化
• 极低的本征电容
• 改善的二极管反向恢复特性
• 齐纳保护

• 开关应用