R1Q2A7209ABG-40IB0
72M QDR/DDR SRAM
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1Q2A7209ABG-40IB0
- 商品编号
- C21679650
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | SSRAM(同步静态) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | JTAG边界扫描功能；突发模式支持 |
商品概述
R1Q2A7236是一款2,097,152字×36位的同步四倍数据速率静态随机存取存储器（SRAM），R1Q2A7218是一款4,194,304字×18位的同类产品，R1Q2A7209则是一款8,388,608字×9位的同类产品。它们采用先进的CMOS技术，使用全CMOS六晶体管存储单元制造而成。该产品集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有输入寄存器由一对输入时钟（K和/K）控制，并在K和/K的上升沿锁存。这些产品适用于需要同步操作、高速、低电压、高密度和宽位配置的应用。它们采用165引脚塑料FBGA封装。
商品特性
- 电源：核心电压（VDD）为1.8V，I/O电压（VDDQ）为1.4V至VDD
- 时钟：
- 快速时钟周期时间，实现高带宽
- 两个输入时钟（K和/K），仅在时钟上升沿实现精确的DDR时序
- 两个用于输出数据的输入时钟（C和/C），以最小化时钟偏移和传输时间不匹配
- 两个输出回波时钟（CQ和/CQ），简化高速系统中的数据捕获
- 具备时钟停止功能，重启时间为微秒级
- I/O：
- 独立的读写数据端口，支持并发事务
- 100%总线利用率的DDR读写操作
- HSTL I/O
- 用户可编程输出阻抗
- DLL/PLL电路，提供宽输出数据有效窗口和未来频率扩展能力
- 功能：
- 双节拍突发，适用于低DDR事务大小
- 内部自定时写控制
- 简单的控制逻辑，便于深度扩展
- JTAG 1149.1兼容测试访问端口
- 封装：165 FBGA封装（15×17×1.4mm）