MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K
149球NAND闪存搭配LPDDR4/LPDDR4X多芯片封装
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K
- 商品编号
- C21674865
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 1.866GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 美光NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X组件
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 独立的NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X接口
- 节省空间的多芯片封装（MCP）
- 低电压操作
- 工业温度范围：-40℃至+85℃
- 组织架构
- 页面大小x8：4352字节（4096 + 256字节）
- 块大小：64页
- 平面数量：1
- VCC = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- 超低电压核心和I/O电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.1V
- VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V 或 LowVDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V
- 频率范围：2133 - 10MHz（数据速率范围：4266 - 20Mb/s/引脚）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体用于并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道的双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程和即时突发长度（BL = 16, 32）
- 针对并发存储体操作和易于命令调度的按存储体定向刷新
- 片上温度传感器以控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 可编程的VSS（ODT）终端