- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K
149球NAND闪存搭配LPDDR4/LPDDR4X多芯片封装
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K
- 商品编号
- C21674865
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 1.866GHz | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 美光 NAND 闪存和 LPDDR4/LPDDR4X 组件
- 符合 RoHS 标准的绿色封装
- 独立的 NAND 闪存和 LPDDR4/LPDDR4X 接口
- 节省空间的多芯片封装 (MCP)
- 低电压操作
- 工业温度范围：-40°C 至 +85°C
- 组织架构
- 页大小 x8：4352 字节 (4096 + 256 字节)
- 块大小：64 页
- 平面数量：1
- VCC = 1.70 - 1.95 V；标称 1.80 V
- 超低电压核心和 I/O 电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称 1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称 1.1 V
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称 1.10 V 或 LowVDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称 0.60 V
- 频率范围：2133-10 MHz (数据速率范围：4266-20 Mb/s/引脚)
- 16n 预取 DDR 架构
- 每个通道 8 个内部存储体用于并发操作
- 单数据速率 CMD/ADR 输入
- 每字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟 (RL/WL)
- 可编程和动态突发长度 (BL = 16, 32)
- 定向每存储体刷新，用于并发存储体操作和简化命令调度
- 片上温度传感器以控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新 (PASR)
- 可选输出驱动强度 (DS)
- 可编程 VSS (ODT) 终端
- MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR
- MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214
- MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y
- MT62F1G64D4EK-023 AUT:C TR
- MTFC64GBCAQDQ-AAT TR
- MTFC64GBCAQTC-IT TR
- MT62F1G64D4EK-023 AIT:C
- MTB1-17SL1
- MTB1-19SAL1-01
- MTB1-66SAL1-01
- MTMM-130-14-S-Q-470-MW
- MUR10020CTR
- MUR1020CT-BP
- MUR1620FCT-BP
- MUR40020CT
- MUSB-05-F-B-SM-A-R-K
- MV-1012
- MV-1022
- MV-158
- MVB-258
- MVDB-2512