- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLS96400A-25EWBL
576Mb Separate I/O RLDRAM 2 Memory，533MHz DDR 操作，差分输入时钟，38.4Gb/s 峰值带宽
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLS96400A-25EWBL
- 商品编号
- C21653904
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x18）
- 减少周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体16K刷新；每32ms必须总共发出128K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 封装：144球WBGA（无铅）
- 配置：64Mx9、32Mx18
- 时钟周期时序：差分输入时钟（CK、CK#）、差分输入数据时钟（DKx、DKx#）、片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C ~ +95°C）；工业级（TC = -40°C ~ +95°C；TA = -40°C ~ +85°C）
- ISL28227SOICEVAL2Z
- ISL28633EV2Z
- IXD1415CC447R-G
- IXD1415CC49MR-G
- IXD1415CC59ER-G
- IXD1415CCA4MR-G
- IXD1415DD117R-G
- IXD1415DD137R-G
- IXD1415FF05MR-G
- 18QHTF32-9.230769-OE
- 18QHTF32-9.473-OE
- 18QHTF32-9.509375-PD
- 18QHTF32-9.566272-OE
- 18QHTF32-9.575-OE
- 18QHTF32-9.744-PD
- 18QHTF32-9.8034-OE
- 18QHTF32-90.3168-PD
- 18QHTF32-99.995-PD
- 18QHTF53-1.1388-OE
- 18QHTF53-10.762238-OE
- 18QHTF53-104.2452-PD