商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
这款STripFET™ III功率MOSFET技术是最新的改进技术之一,特别设计用于最小化导通电阻,提供卓越的开关性能。
商品特性
- 电流受封装限制
- 降低传导损耗
- 低外形、极低寄生电感、高电流封装
应用领域
- 开关应用
- 汽车应用
