MT44K32M36RB-093E:A

1.125Gb X18/X36 RLDRAM3

品牌名称: micron(美光)
商品型号: MT44K32M36RB-093E:A
商品编号: C21603960
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

RLDRAM 3是一种高性能、低延迟的动态随机存取存储器，专为需要高带宽和快速随机访问周期的应用而设计。它采用1.2V中心端接推挽式输入/输出接口，支持1.35V VDD和1.2V VDDQ电源电压（仅在2400操作时可选用1.35V VDDQ）。该器件提供64M×18和32M×36两种组织架构，均采用共输入/输出设计，并包含16个存储体。其内核经过优化，可实现更短的随机访问周期，最小行周期为6.67ns至8ns。它支持单倍数据速率寻址、可编程的读/写延迟和突发长度，并为写命令提供数据掩码功能。时钟输入采用差分时钟，同时具备自由运行的差分输入数据时钟和输出数据时钟。片内延迟锁相环用于生成与时钟边沿对齐的数据信号和差分输出数据时钟信号。刷新间隔为64毫秒。该器件采用168球BGA封装，提供40Ω或60Ω的匹配阻抗输出，并集成片内终端电阻。它支持单存储体或多存储体写入操作，工作频率范围宽达200MHz至1200MHz。其他功能包括读训练寄存器、复用与非复用寻址能力、镜像功能、输出驱动器和片内终端电阻校准，以及符合IEEE 1149.1-2001标准的JTAG接口。

商品特性

1200 MHz DDR操作（每球数据速率2400 Mb/s）
峰值带宽86.4 Gb/s（36位宽，1200 MHz时钟频率）
组织架构：64M×18和32M×36共输入/输出，16个存储体
1.2V中心端接推挽式输入/输出
电源电压：2.5V VEXT，1.35V VDD，1.2V VDDQ（仅2400操作时可选用1.35V VDDQ）
缩短的周期时间：最小行周期为6.67ns至8ns
单倍数据速率寻址
可编程读/写延迟和突发长度
写命令数据掩码
差分输入时钟
自由运行的差分输入数据时钟和输出数据时钟
片内延迟锁相环生成时钟边沿对齐的数据和差分输出数据时钟信号
64毫秒刷新周期
168球BGA封装
40Ω或60Ω匹配阻抗输出
集成片内终端电阻
支持单存储体或多存储体写入
扩展的工作频率范围：200MHz至1200MHz
读训练寄存器
复用与非复用寻址能力
镜像功能
输出驱动器和片内终端电阻校准
JTAG接口

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1.125Gbit

	属性	参数值
	功能特性	噪声抑制功能
	工作电压	1.28V~1.42V
	工作温度	0℃~+95℃