AT45DQ321-SHFHJ-T

32Mbit数据闪存，支持双/四输入输出的SPI串行闪存存储器

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: AT45DQ321-SHFHJ-T
商品编号: C21597586
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

AT45DQ321是一款最小2.3V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DQ321还支持双输入/输出、四输入/输出和RapidS串行接口，适用于需要高速操作的应用。其34,603,008位内存组织为8,192页，每页512字节或528字节。除了主内存外，AT45DQ321还包含两个SRAM缓冲区，每个512/528字节。缓冲区允许在主内存页重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统暂存内存，并且通过自包含的三步读-修改-写操作可以轻松处理E²PROM仿真。与通过多地址线和并行接口随机访问的传统闪存不同，DataFlash使用串行接口顺序访问数据。简单的顺序访问显著减少了活动引脚数量，简化了硬件布局，提高了系统可靠性，最小化了开关噪声，并减小了封装尺寸。该器件针对许多商业和工业应用进行了优化，其中高密度、低引脚数、低电压和低功耗至关重要。为了实现简单的系统内重编程，AT45DQ321不需要高输入电压进行编程。该器件在单电源2.3V至3.6V下运行，用于擦除、编程和读取操作。AT45DQ321通过芯片选择引脚使能，并通过由串行输入、串行输出和串行时钟组成的三线接口访问。所有编程和擦除周期都是自定时的。

商品特性

单电源2.3V ~ 3.6V
串行外设接口兼容
支持SPI模式0和3
支持RapidS操作
支持双输入和四输入缓冲区写入
支持双输出和四输出读取
非常高的工作频率
104MHz
70MHz
时钟到输出时间最大7ns
用户可配置页面大小
每页512字节
每页528字节
页面大小可在工厂预配置为512字节
两个完全独立的SRAM数据缓冲区
允许在重新编程主内存阵列时接收数据
灵活的编程选项
字节/页面编程直接到主内存
缓冲区写入
缓冲区到主内存页面编程
灵活的擦除选项
页面擦除
块擦除
扇区擦除
芯片擦除
编程和擦除挂起/恢复
先进的硬件和软件数据保护功能
独立扇区保护
独立扇区锁定
128字节一次性可编程安全寄存器
64字节工厂编程具有标识符
64字节用户可编程
硬件和软件控制的复位选项
JEDEC标准制造商和设备ID读取
低功耗
500nA超深功耗下降电流
3μA深功耗下降电流
25μA待机电流
7mA活动读取电流
耐久性每页最小100,000次编程/擦除周期
数据保留20年
符合全工业温度范围
绿色封装选项
8引脚SOIC
8焊盘超薄DFN
8焊盘超薄DFN

应用领域

数字语音存储
图像存储
程序代码存储
数据存储

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	32Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	25uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位