AT45DQ321-SHFHJ-T

AT45DQ321是一款最低工作电压为2.3V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DQ321还支持双输入输出、四输入输出和RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其34,603,008位的内存被组织为8,192页，每页512字节或528字节。除主内存外，AT45DQ321还包含两个512/528字节的SRAM缓冲区。这些缓冲区允许在对主内存中的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统暂存内存，并且通过独立的三步读-修改-写操作可以轻松实现E²PROM仿真（位或字节可更改性）。与传统的通过多条地址线和并行接口随机访问的闪存不同，DataFlash®使用串行接口顺序访问其数据。简单的顺序访问显著减少了有效引脚数量，便于简化硬件布局，提高了系统可靠性，最小化了开关噪声，并减小了封装尺寸。该器件针对许多商业和工业应用进行了优化，在这些应用中，高密度、低引脚数、低电压和低功耗至关重要。为了实现简单的系统内重新编程能力，AT45DQ321编程时不需要高输入电压。该器件在2.3V至3.6V的单电源下进行擦除、编程和读取操作。AT45DQ321通过片选引脚（CS）使能，并通过由串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问。所有编程和擦除周期都是自定时的。

• 单2.3V - 3.6V电源供电
• 兼容串行外设接口（SPI），支持SPI模式0和3，支持RapidS™操作，支持双输入和四输入缓冲写入，支持双输出和四输出读取
• 非常高的工作频率：SPI为104MHz，双输入输出和四输入输出为70MHz，时钟到输出时间（tV）最大为7ns
• 用户可配置页面大小：每页512字节或528字节（默认），页面大小可在工厂预配置为512字节
• 两个完全独立的SRAM数据缓冲区（512/528字节），允许在对主内存阵列进行重新编程时接收数据
• 灵活的编程选项：直接对主内存进行字节/页面编程（1至512/528字节）、缓冲写入、从缓冲区到主内存页面编程
• 灵活的擦除选项：页面擦除（512/528字节）、块擦除（4KB）、扇区擦除（64KB）、芯片擦除（32M位）
• 编程和擦除暂停/恢复功能
• 先进的硬件和软件数据保护功能：单个扇区保护、单个扇区锁定使任何扇区永久只读
• 128字节的一次性可编程（OTP）安全寄存器：64字节由工厂编程，带有唯一标识符，64字节用户可编程
• 硬件和软件控制的复位选项，支持JEDEC标准制造商和设备ID读取
• 低功耗：超深掉电电流典型值为500nA，深掉电电流典型值为3μA，待机电流典型值为25μA，主动读取电流典型值为7mA
• 耐久性：每页至少100,000次编程/擦除周期，数据保留时间为20年
• 符合全工业温度范围
• 环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项：8引脚SOIC（0.208英寸宽）、8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6mm）、8焊盘超薄DFN（6 x 8 x 1.0mm）

• 数字语音存储
• 图像存储
• 程序代码存储
• 数据存储