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GC3M0080120K
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 特性：优化封装，带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M0080120K
- 商品编号
- C21547378
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
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