温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GC3M0080120K
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：优化封装，带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M0080120K
- 商品编号
- C21547378
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
商品特性
- 优化封装，具有独立的驱动源引脚
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 快速本征二极管，反向恢复电荷低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源
- GC2M0160120K
- GC3D10065H
- NRF9161-LACA-R7
- WTB36SAD9JTA
- WTB60SAD9JTA
- RB080AR-40T7R
- SX1M32.768M10F30TNN
- SX2M1.500M20F30TNN
- SX2M6.144M20F30TNN
- SX2M6.780M20F30TNN
- SX2M10.240M20F30TNN
- SX2M10.700M20F30TNN
- SX2M12.500M20F30TNN
- SX2M13.330M20F30TNN
- SX2M28.63636M20F30TNN
- SX2M37.125M20F30TNN
- SX2M45.1584M20F30TNN
- SX2M49.152M20F30TNN
- SX2M54.000M20F30TNN
- SX3M1.96608M20F30TNN
- SX3M2.000M20F30TNN