IS49NLC18320A-25WBLI
Common I/O RLDRAM 2 Memory
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS49NLC18320A-25WBLI
- 商品编号
- C21512435
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533MHz时钟频率下为x36）
- 缩短周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体16K刷新；每32ms必须总共发出128K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用选项）
- SRAM型接口
- 可编程读延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读写延迟以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C至+95°C）；工业级（TC = -40°C至+95°C；TA = -40°C至+85°C）
- ISL28114SOT23EVAL1Z
- ISL28533EV2Z
- ISL88003IE16Z-TK
- ITA-1710-S0A1E
- ITA-5831-L7A1E
- ITA-5831-S5A1E
- IW-G30D-C7EV-4E004G-E008G-LCA
- IW-G40M-OLPQ-4L002G-E016G-BIA
- IW-G40S-OLPQ-4L004G-E016G-BIA
- IX40G-A-10P-JC(7.0)
- IXD1216C202PR-G
- IXD1415BB05ER-G
- IXD1415BB147R-G
- IXD1415BB587R-G
- IXD1415CC05ER-G
- IXD1415CC13MR-G
- IXD1421AB33ER-G
- IXD1504A181MR-G
- IXD1504A301NR-G
- J036-L1C1RDO0H
- JA02S-32-M1SC-1-F0-R