- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AT45DB081E-SHNHC-T
8Mbit DataFlash串行闪存存储器
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT45DB081E-SHNHC-T
- 商品编号
- C21496861
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位 |
商品概述
AT45DB081E是一款8-Mbit DataFlash（额外包含256 kbits），最小工作电压为1.7V的SPI串行闪存存储器。该器件是专为系统内重新编程而设计的串行接口闪存，适用于需要高密度、低功耗和低电压的多种工业和商业应用。其存储阵列配置为4096页，每页256/264字节。除主存储器外，还包含两个各256/264字节的SRAM缓冲区。这些缓冲区允许在主存储器页面被重新编程时接收数据，并支持连续数据流读取。通过自包含的自动重写能力，可轻松实现EEPROM仿真。器件工作电压范围为1.7V至3.6V，通过简单的SPI兼容接口与主机通信。该器件非常适用于代码影子到RAM、直接从DataFlash执行代码以及存储语音、文本和数据。
商品特性
- 单电源供电，电压范围1.7V至3.6V
- 兼容串行外设接口，支持SPI模式0和3，支持RapidS操作
- 具备连续读取整个阵列的能力，最高频率达85 MHz
- 提供低功耗读取选项，频率最高15 MHz
- 时钟到输出时间最大为6 ns
- 用户可配置页面大小，每页256字节或264字节，页面大小可工厂预配置为256字节
- 两个完全独立的SRAM数据缓冲区
- 允许在重编程主存储器阵列时接收数据
- 灵活的编程选项，包括直接对主存储器进行字节/页面编程、缓冲区写入以及从缓冲区到主存储器的页面编程
- 灵活的擦除选项，包括页面擦除、块擦除、扇区擦除和芯片擦除
- 支持编程和擦除的暂停与恢复操作
- 具备硬件和软件数据保护功能，包括独立扇区保护和可将扇区永久锁定为只读的扇区锁定功能
- 包含128字节一次性可编程安全寄存器，其中64字节由工厂编程为标识符，64字节可由用户编程
- 提供硬件和软件控制的复位选项
- 支持读取JEDEC标准制造商和设备ID
- 低功耗特性，典型超深度掉电电流为400 nA，典型深度掉电电流为4.5 μA，典型待机电流为25 μA，在20 MHz频率下典型活动读取电流为11 mA
- 耐久性为每页最少10万次编程/擦除周期，数据保存期限为20年
- 符合完整的工业温度范围
- 提供符合环保要求的封装选项，包括8引脚SOIC、8焊盘超薄DFN和8球晶圆级芯片规模封装