- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM，超低电压核心和I/O电源，采用FBGA环保封装，16n预取DDR架构
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E256M32D1KS-046 AAT:L
- 商品编号
- C21462752
- 商品封装
- BGA-200(14.5x10)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品概述
本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作，并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将该产品用作LPDDR4设备时，请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
商品特性
- 超低电压核心和I/O电源供应
- VDD1 = 1.70V 至 1.95V；1.80V 标称
- VDD2 = 1.06V 至 1.17V；1.10V 标称
- VDDQ = 0.57V 至 0.65V；0.60V 标称 或 VDDQ = 1.06V 至 1.17V；1.10V 标称
- 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，用于并发操作
- 单数据率CMD/ADR输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
- 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片x32通道最高8.5 GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程VSS（ODT）端接
- 单端CK和DQS支持
- VDD1/VDD2/VDDQ: 1.80V / 1.10V / 0.60V 或 1.10V
- 阵列配置：256 Meg x 32（2通道 x 16 I/O）256M32
- 器件配置：封装D1中的256M32 x 1芯片
- FBGA“绿色”封装
- 200球VFBGA（10mm × 14.5mm × 0.95mm, Ø0.40 SMD）KS
- 速度等级，周期时间：468ps @ RL = 36/40 -046
- 汽车等级A
- AEC-Q100
- ISO 26262 ASIL D兼容开发
- FMEDA（ISO 26262-5:2018, 条款8, 9）
- 安全手册
- 安全特性已启用，更多信息请参考安全手册
- 工作温度范围：-40°C 至 +95°C IT；-40°C 至 +105°C；-40°C 至 +125°C UT²
- 修订版：L