- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AT25DF256-MAHN-T
256-Kbit 1.65V最小电压支持双读的SPI串行闪存
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25DF256-MAHN-T
- 商品编号
- C21450922
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品概述
AT25DF256 是一款串行接口闪存设备，设计用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存影子复制到嵌入式或外部RAM中执行。该设备的灵活擦除架构，具有页面擦除粒度，也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更高效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在自己的擦除区域中，因此可以大大减少大扇区和大块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用内存空间。这种提高的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时保持相同的整体设备密度。该设备还包含一个专用的OTP（一次性可编程）安全寄存器，可用于设备序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等。专为许多不同系统设计，AT25DF256支持读取、编程和擦除操作，具有1.65V至3.6V的宽电源电压范围。编程和擦除无需单独电压。
商品特性
- 单电源1.65V至3.6V
- 串行外设接口（SPI）兼容
- 支持SPI模式0和3
- 支持双输出读取
- 最大工作频率104MHz
- 时钟到输出tV为6 ns
- 灵活、优化的擦除架构，适用于代码和数据存储应用
- 小（256字节）页面擦除
- 统一4千字节块擦除
- 统一32千字节块擦除
- 全芯片擦除
- 通过WP引脚硬件控制保护扇区锁定
- 128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 64字节工厂编程，具有标识符
- 64字节用户可编程
- 灵活编程
- 字节/页面编程（1至256字节）
- 快速编程和擦除时间
- 典型页面编程（256字节）时间1.5ms
- 典型4千字节块擦除时间50ms
- 典型32千字节块擦除时间350ms
- 自动检查和报告擦除/编程失败
- 软件控制复位
- JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
- 低功耗
- 超深度掉电电流典型值200nA
- 深度掉电电流典型值5μA
- 待机电流典型值25μA
- 主动读取电流典型值4.5mA
- 耐久性：100,000次编程/擦除周期
- 数据保留：20年
- 温度范围：-10°C至+85°C（1.65V至3.6V），-40°C至+85°C（1.7V至3.6V）
- 行业标准绿色（无铅/无卤素/RoHS兼容）封装选项
- 8引脚SOIC（150密耳）
- 8焊盘超薄DFN（2×3×0.6毫米）
- 8引脚TSSOP封装