MT44K16M36RB-093E:B
576Mb X18、X36 RLDRAM 3
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT44K16M36RB-093E:B
- 商品编号
- C21417897
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | RLDRAM3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.066GHz | |
| 存储容量 | 576Mbit | |
| 工作电压 | 1.28V~1.42V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 1.185A | |
| 刷新电流 | 745mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 1066 MHz DDR操作（2133 Mb/s/球数据速率）
- 76.8 Gb/s峰值带宽（在1066 MHz时钟频率下为x36）
- 组织架构：32 Meg x 18和16 Meg x 36通用I/O（CIO）、16个存储体
- 1.2V中心端接推挽式I/O
- 2.5V V_EXT、1.35V V_DD、1.2V V_DDQ I/O
- 缩短周期时间（t_RC（最小值） = 7.5 - 12 ns）
- SDR寻址
- 可编程的读/写延迟（RL/WL）和突发长度
- 写命令的数据掩码
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 自由运行的差分输入数据时钟（DKx、DKx#）和输出数据时钟（QKx、QKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和差分输出数据时钟信号
- 64ms刷新（每64ms进行128K次刷新）
- 168球BGA封装
- 40Ω或60Ω匹配阻抗输出
- 集成片上终端（ODT）
- 单存储体或多存储体写入
- 扩展工作范围（200 - 1066 MHz）
- 读训练寄存器
- 复用和非复用寻址能力
- 镜像功能
- 输出驱动器和ODT校准
- JTAG接口（IEEE 1149.1 - 2001）