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AT45DB321E-MWHF-Y

32-Mbit DataFlash（额外 1-Mbits）SPI 串行闪存

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位

单2.3 V - 3.6 V电源供电
兼容串行外设接口（SPI）
支持SPI模式0和3
支持RapidS™操作
可对整个阵列进行连续读取
最高85 MHz
低功耗读取选项，最高15 MHz
时钟到输出时间（tv）最大为6 ns
用户可配置页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节（默认）
- 页面大小可在工厂预配置为512字节
两个完全独立的SRAM数据缓冲区（512/528字节）
灵活的编程选项
- 字节/页面编程（1到512/528字节）可直接写入主存储器
- 缓冲区写入
- 缓冲区到主存储器页面编程
灵活的擦除选项
- 页面擦除（512/528字节）
- 块擦除（4 kB）
- 扇区擦除（64 kB）
- 芯片擦除（32 Mbit）
编程和擦除暂停/恢复功能
先进的硬件和软件数据保护功能
- 单个扇区保护
- 单个扇区锁定，使任何扇区永久只读
128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 64字节由工厂编程，带有唯一标识符
- 64字节用户可编程
硬件和软件控制的复位选项
符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取功能
低功耗
- 400 nA超深度掉电电流（典型值）
- 3 μA深度掉电电流（典型值）
- 25 μA待机电流（典型值）
- 7 mA有源读取电流（典型值）
耐久性：每页至少100,000次编程/擦除循环
数据保留时间：20年
环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项
- 8引脚SOIC（208密耳宽）
- 8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6 mm）
- 8焊盘DFN（6 x 8 x 1.0 mm）
- 晶圆形式裸片