- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLC36160A-25EWBLI
共用 I/O RLDRAM 2 内存
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLC36160A-25EWBLI
- 商品编号
- C21370581
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533MHz时钟频率下为x36）
- 缩短周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体16K刷新；每32ms必须总共发出128K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用选项）
- SRAM型接口
- 可编程读延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读写延迟以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C至+95°C）；工业级（TC = -40°C至+95°C；TA = -40°C至+85°C）
- IS49RL18640-093EBLI
- ISL80101AEVAL2Z
- ISL80103EVAL2Z
- IX32G-B-8S-CVL1(7.0)
- IXD1415AA03ER-G
- IXD1415AA15ER-G
- IXD1415BB247R-G
- IXD1415CC34MR-G
- IXD1415CC39ER-G
- IXD1415CC40ER-G
- IXD1415CC48MR-G
- IXD1415DD21ER-G
- IXD1415EEE87R-G
- IXD1415GG44ER-G
- IXD1415GG68MR-G
- IXD1415GG88ER-G
- IXD1415GG90MR-G
- IXD1415HH12ER-G
- IXD1421AB41ER-G
- IXD1504A211MR-G
- J006-CE20BLUM3