商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 450ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
HM-6518是一款采用自对准硅栅技术制造的1024×1静态CMOS随机存取存储器(RAM)。采用同步电路设计技术,以实现高性能和低功耗运行。片上设有地址和数据输出锁存器,便于与微处理器系统高效接口。数据输出缓冲器可强制进入高阻抗状态,用于扩展内存阵列。HM-6518是一款完全静态的RAM,可在任何状态下无限期保持。保证数据保留电源电压和电源电流在不同温度下稳定。
商品特性
- 与HM-6100兼容
- 低待机功耗,最大50μW
- 低工作功耗,每兆赫兹最大20mW
- 快速访问时间,最大180ns
- 数据保留电压最小值为2.0V
- TTL兼容输入/输出
- 高输出驱动能力 - 2个TTL负载
- 高抗噪能力
- 片上地址寄存器
- 两个片选信号,便于阵列扩展
- 三态输出
- 宽工作温度范围:
- HM-6518-5:0°C至+70°C
- HM-6518-9:-40°C至+85°C
- HM-6518-8:-55°C至+125°C
- HN58X25128FPIAG#S1
- HMG.0B.302.CLLPV
- HPBO-HPPMCRD-CBFSG
- HPFC-106-01-T-D-03
- HPFC-124-02-L-D-04
- HR10-7J-4P(73)
- HR10A-7R-4S(74)
- HR10G-10R-12S(71)
- HR12-10RC-8SDL(71)
- HRS-2B-16-GA
- HS-QSFP-P1-04-LP
- HS1T-VC7Y4ZSM-G
- HS5D-02ZRNM
- HS5E-KVA005-2C502
- HS5L-XG7Y4M-G
- HS6B-03RR05-TK2236
- HS6E-L44B03-G
- HS6E-N7Y4B01-G
- HS7A-DMP5005
- HSS-103-G-2-N
- HSS-104-TT-2

