商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 4.6ns | |
| 下降时间(tf) | 3.3ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.9V | |
| 输入低电平(VIL) | 1V~2.1V | |
| 静态电流(Iq) | 290uA | |
| 功能特性 | 使能关断;内置自举二极管 |
商品概述
2EDL803x 设计用于在半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力,而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容,能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。2EDL803x 采用 SON - 8 引脚 4mm×4mm、SON - 10 引脚 4mm×4mm 和 SON - 10 引脚 3mm×3mm 封装。
商品特性
- 电平转换高端和低端双通道驱动器
- 独立的高端和低端 TTL 逻辑输入
- 3A 和 4A 源电流/6A 灌电流输出能力
- 120V 绝对最大自举电压
- 集成自举二极管
- -10V 至 20V 输入引脚能力,增强了鲁棒性
- 5A 输出引脚反向电流能力
- 高端 12V 绝对最大负电压
- 8V 至 17V 电源电压工作范围
- 高端和低端驱动器均有欠压锁定 (UVLO)
- 快速传播延迟 (< 35ns)
- 2ns 典型延迟匹配
- SON10 (3×3) 封装具备使能/禁用功能
- 提供 SON8 (4×4)、SON10 (4×4) 和 SON10 (3×3) 封装
- 指定工作结温范围为 -40°C 至 125°C
应用领域
- 电信/数据通信半桥和全桥功率转换器
- 电流馈电推挽转换器
- 降压转换器
- 双开关正激转换器
- D 类放大器
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