2EDL8033G4BXTMA1

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2EDL8033G4BXTMA1
商品编号: C21365200
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	3.3ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.9V
	输入低电平(VIL)	1V~2.1V
	静态电流(Iq)	290uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管

商品概述

2EDL803x设计用于驱动半桥配置中的高侧和低侧MOSFET。浮动高侧驱动器能够驱动高侧MOSFET，工作电压高达120V自举电压。版本4提供完整的4A电流能力，而版本3提供3A。高侧偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术产生。驱动器的输入与TTL逻辑兼容，可承受从-10V到20V的输入共模摆幅。独立的输入允许独立控制高侧和低侧域。高侧和低侧电源上的欠压锁定（UVLO）在电源不足时强制相应的输出为低电平。2EDL803x提供SON-8引脚4mm×4mm、SON-10引脚4mm×4mm和SON-10引脚3mm×3mm封装。

商品特性

电平转换高侧低侧双通道驱动器
独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
3A和4A源电流/6A灌电流输出能力
120V最大自举电压
集成自举二极管
-10V至20V输入引脚能力以提高鲁棒性
5A输出引脚反向电流能力
高侧引脚上12V最大负电压
8V至17V电源电压工作范围
高侧和低侧驱动器均具有欠压锁定
快速传播延迟（小于35ns）
2ns典型延迟匹配
SON10（3×3）封装中具有使能/禁用功能
提供SON8（4×4）、SON10（4×4）和SON10（3×3）封装
工作结温范围指定为-40°C至125°C

应用领域

电信/数据通信半桥和全桥功率转换器
电流馈送推挽转换器
降压转换器
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	6A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	8V~17V
	上升时间(tr)	4.6ns