- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112
149引脚NAND闪存与LPDDR4/LPDDR4X多芯片封装
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112
- 商品编号
- C21344799
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 美光NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X组件
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 独立的NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X接口
- 节省空间的多芯片封装（MCP）
- 低电压操作
- 工业温度范围：-40°C至+85°C
- 汽车温度范围：-40°C至+105°C
- 符合AEC-Q100标准
- NAND闪存特定特性：页面大小x8为4352字节（4096 + 256字节），块大小为64页，平面数量为1，VCC = 1.70 - 1.95V；标称值为1.80V
- 移动LPDDR4/LPDDR4X特定特性：超低电压核心和I/O电源，VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值为1.80V，VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值为1.1V，VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值为1.10V，或LowVDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值为0.60V，频率范围2133 - 10MHz（数据速率范围：4266 - 20Mb/s/引脚），16n预取DDR架构，每个通道有8个内部存储体用于并发操作，单数据速率CMD/ADR输入，每个字节通道有双向/差分数据选通
- 可编程的读写延迟（RL/WL）
- 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
- 针对并发存储体操作和命令调度的便利性进行的按存储体定向刷新
- 片上温度传感器以控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 可编程的VSS（ODT）终端
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