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MC28F008-10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC28F008-10

Flash FileTM 内存,可配置 x8 或 x16 操作,多电压选项,多命令执行,页缓冲写入

商品型号
MC28F008-10
商品编号
C21317055
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
属性参数值
功能特性硬件写保护;软件写保护

商品概述

Rochester品牌的组件采用从原始供应商购买的裸片/晶圆或根据原始IP重新制作的Rochester晶圆制造。所有重新制作都获得了原始组件制造商(OCM)的批准。部件使用原厂测试程序或Rochester开发的测试解决方案进行测试,以保证产品符合或超过OCM数据手册的要求。VS/MS28F016SV是英特尔高密度、高性能内存系列的最新成员,具有用户可选的VCC和VPP(智能电压技术)、创新功能、与VE28F008和M28F008 100%兼容、多种节能模式、选择性块锁定以及非常快速的读写性能,适用于需要高密度和宽温度范围内存设备的应用。它有两种产品等级(SE1:-55°C至+125°C,SE2:-40°C至+125°C),适用于电信、嵌入式/工业、汽车、导航、无线通信、商用飞机等非PC行业。

商品特性

  • 工作温度范围:VS28F016SV为 -40°C至 +125°C(SE2等级);MS28F016SV为 -55°C至 +125°C(QML认证,SE1等级)
  • 智能电压技术:用户可选择3.3V或5V的VCC,5V或12V的VPP
  • 三种电压/速度选项:80ns访问时间(5.0V ± 5%)、85ns访问时间(5.0V ± 10%)、120ns访问时间(3.3V ± 10%)
  • 每块典型100万次擦除周期,14.3MB/秒突发写入传输速率
  • 可配置x8或x16操作
  • 56引脚、0.8mm x 13.5mm SSOP塑料封装
  • 与VE28F008、M28F008和28F016SA命令集向后兼容
  • 革命性架构:多命令执行、擦除时写入、命令超集(英特尔)、页缓冲写入
  • 多种节能模式
  • 两个256字节页缓冲器
  • 先进的0.6μm ETOX™ IV闪存技术

应用领域

  • 电信
  • 嵌入式/工业
  • 汽车
  • 导航
  • 无线通信

数据手册PDF