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LM2105DR

0.5-A/0.8-A半桥驱动器，带5-V欠压锁定和集成自举二极管

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM2105DR
商品编号: C21316176
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	18ns
	传播延迟 tpLH	115ns
	传播延迟 tpHL	115ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V
	输入低电平(VIL)	1.3V
	静态电流(Iq)	430uA
	功能特性	内置自举二极管

商品概述

LM2105是一款紧凑型高压栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。集成自举二极管可省去外部分立二极管，从而节省电路板空间并降低系统成本。SH引脚可承受-1 V直流和-19.5 V瞬态负电压，提升了高噪声应用中的系统鲁棒性。小型热增强型8引脚WSON封装可将驱动器放置在更靠近电机相的位置，优化PCB布局。LM2105还提供符合行业标准引脚分配的8引脚SOIC封装。欠压锁定(UVLO)应用于低端和高端电源轨，在上电和断电过程中提供保护。

商品特性

可驱动半桥配置中的两个N沟道MOSFET
集成自举二极管
GVDD欠压锁定典型值为5 V
BST引脚最大电压为107 V
SH引脚可承受-19.5 V最大负瞬态电压
峰值拉/灌电流为0.5 A/0.8 A
典型传播延迟为115 ns

应用领域

无刷直流(BLDC)电机
永磁同步电机(PMSM)
无绳吸尘器
无绳园林和电动工具
电动自行车和电动滑板车
电池测试设备
离线式不间断电源(UPS)
通用MOSFET或IGBT驱动器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	800mA
	拉电流(IOH)	500mA
	工作电压	5V~18V
	上升时间(tr)	28ns