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EXCELON™ LP F-RAM CY15X104QI是一款采用先进铁电工艺的低功耗4兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（EXCELON™ LP F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X104QI以总线速度执行写操作，无写延迟。数据在成功传输到设备后立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性。CY15X104QI能够支持10¹⁵次读写循环，比EEPROM多100亿次写循环。这些特性使CY15X104QI非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储应用，例如数据收集（写循环次数可能至关重要）以及对串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失有严格要求的工业控制。CY15X104QI作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它使用高速SPI总线，增强了EXCELON™ LP F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，设备还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

• 4兆位铁电随机存取存储器（EXCELON LP F-RAM），逻辑组织为512K × 8
• 几乎无限的耐久性，1000万亿（10^15）次读写
• 151年数据保留
• 即时非易失性写入技术
• 先进高可靠性铁电工艺
• 快速串行外设接口（SPI）
• 频率高达20 MHz
• 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚的硬件保护
• 使用写禁用（WRDI）指令的软件保护
• 软件块保护，支持1/4、1/2或整个阵列
• 设备ID和序列号
• 制造商ID和产品ID
• 设备ID
• 序列号
• 专用256字节特殊扇区EXCELON LP F-RAM
• 专用特殊扇区写入和读取
• 存储内容可经受最多三次标准回流焊循环
• 低功耗
• 在20 MHz下，工作电流典型值为1.2 mA
• 待机电流典型值为2.3 μA
• 深度掉电模式电流典型值为0.70 μA
• 休眠模式电流典型值为0.1 μA
• 上电时浪涌电流典型值为1.5 mA
• 低电压操作
• CY15V104Q!: VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B104QI: VDD = 1.8 V 至 3.6 V
• 商业和工业操作温度
• 商业操作温度：0°C 至 +70°C
• 工业操作温度：-40°C 至 +85°C
• 封装
• 8引脚网格阵列四平无引线（GQFN）封装
• 8引脚超薄细间距焊盘网格阵列（UFLGA）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准

• 数据收集
• 工业控制