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W958D8NWSX4I TR实物图
  • W958D8NWSX4I TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

W958D8NWSX4I TR

256Mb HyperRAM

品牌名称
Winbond(华邦)
商品型号
W958D8NWSX4I TR
商品编号
C21287141
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录随机存取存储器(RAM)
存储容量256Mbit
属性参数值
时钟频率(fc)250MHz

商品概述

HyperBus是一种低信号数的双倍数据速率(DDR)接口,可实现高速读写吞吐量。DDR协议在DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。HyperBus上的读写事务包括在内部HyperRAM阵列上进行一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输,以及在DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期的数据传输。所有输入和输出均与LV - CMOS兼容。命令、地址和数据信息通过八个HyperBus DQ[7:0]信号传输。时钟(CK#,CK)用于HyperBus从设备在DQ信号上接收命令、地址或数据时进行信息捕获。命令或地址值与时钟转换中心对齐。每个事务始于CS#和命令 - 地址(CA)信号的置位,随后开始时钟转换以传输六个CA字节,接着是初始访问延迟和读写数据传输,直到CS#被释放。读写事务需要两个时钟周期来定义目标行地址和突发类型,然后是tACC的初始访问延迟。在事务的CA部分,内存将通过将RWDS信号驱动到高电平来指示是否在初始延迟中增加了所需刷新时间(tRFH)的额外延迟。在CA期间,第三个时钟周期将指定目标行内的目标字地址。在读写事务中,初始数据值输出(或输入)后,可在后续时钟周期以环绕或线性顺序从行中读取(或写入)额外数据。当配置为线性突发模式时,设备将自动从内存阵列中获取下一个连续行以支持连续线性突发。在读写数据传输进行时同时访问阵列中的下一行,可实现线性顺序突发操作,可提供500 MB/s的持续数据速率(1字节(8位数据总线)×2(数据时钟沿)×250 MHz = 500 MB/s)。

商品特性

  • 接口:HyperBus
  • 电源:1.7V ~ 2.0V
  • 最大时钟速率:250MHz
  • 双倍数据速率(DDR)高达500 MB/s
  • 时钟:单端时钟(CK);差分时钟(CK/CK#)
  • 片选(CS#)
  • 8位数据总线(DQ[7:0])
  • 硬件复位(RESET#)
  • 读写数据选通(RWDS)
  • 双向数据选通/掩码;在所有事务开始时输出以指示刷新延迟;在读取事务期间作为读取数据选通输出;在写入事务期间作为写入数据掩码输入
  • 可配置输出驱动强度
  • 节能模式:混合睡眠模式;深度掉电
  • 可配置突发特性:线性突发;环绕突发长度:16字节(8个时钟);32字节(16个时钟);64字节(32个时钟);128字节(64个时钟);混合突发 - 一个环绕突发后接线性突发
  • 阵列刷新模式:全阵列刷新;部分阵列刷新
  • 工作温度范围:-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

数据手册PDF