商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) | |
| 存储容量 | 256Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 250MHz |
商品概述
HyperBus是一种低信号数的双倍数据速率(DDR)接口,可实现高速读写吞吐量。DDR协议在DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。HyperBus上的读写事务包括在内部HyperRAM阵列上进行一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输,以及在DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期的数据传输。所有输入和输出均与LV - CMOS兼容。命令、地址和数据信息通过八个HyperBus DQ[7:0]信号传输。时钟(CK#,CK)用于HyperBus从设备在DQ信号上接收命令、地址或数据时进行信息捕获。命令或地址值与时钟转换中心对齐。每个事务始于CS#和命令 - 地址(CA)信号的置位,随后开始时钟转换以传输六个CA字节,接着是初始访问延迟和读写数据传输,直到CS#被释放。读写事务需要两个时钟周期来定义目标行地址和突发类型,然后是tACC的初始访问延迟。在事务的CA部分,内存将通过将RWDS信号驱动到高电平来指示是否在初始延迟中增加了所需刷新时间(tRFH)的额外延迟。在CA期间,第三个时钟周期将指定目标行内的目标字地址。在读写事务中,初始数据值输出(或输入)后,可在后续时钟周期以环绕或线性顺序从行中读取(或写入)额外数据。当配置为线性突发模式时,设备将自动从内存阵列中获取下一个连续行以支持连续线性突发。在读写数据传输进行时同时访问阵列中的下一行,可实现线性顺序突发操作,可提供500 MB/s的持续数据速率(1字节(8位数据总线)×2(数据时钟沿)×250 MHz = 500 MB/s)。
商品特性
- 接口:HyperBus
- 电源:1.7V ~ 2.0V
- 最大时钟速率:250MHz
- 双倍数据速率(DDR)高达500 MB/s
- 时钟:单端时钟(CK);差分时钟(CK/CK#)
- 片选(CS#)
- 8位数据总线(DQ[7:0])
- 硬件复位(RESET#)
- 读写数据选通(RWDS)
- 双向数据选通/掩码;在所有事务开始时输出以指示刷新延迟;在读取事务期间作为读取数据选通输出;在写入事务期间作为写入数据掩码输入
- 可配置输出驱动强度
- 节能模式:混合睡眠模式;深度掉电
- 可配置突发特性:线性突发;环绕突发长度:16字节(8个时钟);32字节(16个时钟);64字节(32个时钟);128字节(64个时钟);混合突发 - 一个环绕突发后接线性突发
- 阵列刷新模式:全阵列刷新;部分阵列刷新
- 工作温度范围:-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C
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