- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
该器件是一款800V、3A N沟道MOSFET，采用平面技术，提供TO-251AA、TO-252AA、TO-220AB和ITO-220AB-F等多种封装选项。
商品特性
- 在VGS=10V、ID=1.5A条件下，导通电阻RDS(ON) < 4.8Ω
- 高开关速度
- 改进的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
- 符合IEC61249标准，采用绿色模塑化合物（无卤）