- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AT25XE021A-XMHN-T
2-Mbit, 1.65 V最小SPI串行闪存，支持双I/O
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25XE021A-XMHN-T
- 商品编号
- C21210507
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 70MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 45ms@(4KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品特性
- 单电源电压范围 1.65 V 至 3.6 V
- 串行外设接口（SPI）兼容，支持 SPI 模式 0 和 3，支持双输入/输出操作，最大工作频率 70 MHz
- 时钟到输出时间（tv）为 6 ns
- 灵活优化的擦除架构，适用于代码和数据存储应用，包括小页擦除（256 字节）、统一 4 kB 块擦除、统一 32 kB 块擦除、统一 64 kB 块擦除和全芯片擦除
- 通过 WP 引脚进行硬件控制的保护扇区锁定；128 字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，其中 64 字节由工厂编程为标识符，64 字节用户可编程
- 灵活编程，包括字节/页编程（1 到 256 字节）、双输入字节/页编程（1 到 256 字节）和顺序编程模式能力
- 快速编程和擦除时间，典型页编程（256 字节）时间 2 ms，典型 4 kB 块擦除时间 45 ms，典型 32 kB 块擦除时间 360 ms，典型 64 kB 块擦除时间 720 ms
- 自动检查和报告擦除/编程失败
- 软件控制复位；JEDEC 标准制造商和设备 ID 读取方法
- 低功耗，典型超深功耗下降电流 200 nA，典型深功耗下降电流 4.5 μA，典型待机电流 25 μA，典型主动读取电流 3 mA；耐久性：100,000 次编程/擦除周期；数据保留：20 年
- 符合全工业温度范围
- 行业标准绿色（无铅/无卤化物/RoHS 兼容）封装选项，包括 8 引脚 SOIC（150 密耳）、8 焊盘超薄 DFN（2 x 3 x 0.6 mm）、8 焊盘超薄 DFN（5 x 6 x 0.6 mm）、8 引脚 TSSOP 封装和 8 球 WLCSP
- ATN2202S-R
- AU-06BFFA-LL7001
- AV1910E624R04
- AV1910P312R04
- AV1911P112R04
- AV1920DG12Q04
- AV1920P312R04
- AV1920R524Q04
- AV1921D324R04
- AV1921P624Q04
- AV2220EB24Q04
- AV2221E112Q04
- AV2520EA12T5Q04
- AVC19MS16FE0DT5A04
- AVC22LS04FE0DT5A04
- AVC22LS04FE1DT5A04
- AVH19LSFE17242604
- AVH19LSFP3241604
- AVH19MSFE1121604
- AVH19MSFE1A242604
- AVH22LSSFE1A121604