TPS2031DRG4

TPS203x系列电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路的应用场景。这些设备是50毫欧的N沟道MOSFET高端电源开关。开关由一个与5V逻辑和3V逻辑兼容的逻辑使能控制。栅极驱动由一个内部电荷泵提供，该电荷泵旨在控制电源开关的上升时间和下降时间，以最小化开关过程中的电流浪涌。电荷泵无需外部组件，允许从低至2.7V的电源供电。

当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，TPS203x通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平，并将过流（OC）逻辑输出拉低。当持续的重载和短路增加开关中的功耗，导致结温升高时，热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦设备充分冷却，热关断将自动恢复。内部电路确保在有效输入电压存在之前开关保持关闭状态。

TPS203x设备仅在短路电流阈值方面有所不同。TPS2030在0.3A负载时限制电流，TPS2031在0.9A负载时限制电流，TPS2032在1.5A负载时限制电流，TPS2033在2.2A负载时限制电流，TPS2034在3A负载时限制电流（见可用选项）。TPS203x采用8引脚小外形集成电路（SOIC）封装和8引脚双列直插式（DIP）封装，工作结温范围为 -40°C至125°C。

电源开关是一个最大导通电阻为50毫欧（VI(IN) = 5V）的N沟道MOSFET。作为高端开关配置，电源开关在禁用时可防止电流从OUT流向IN以及从IN流向OUT。

内部电荷泵为驱动电路供电，并提供必要的电压将MOSFET的栅极拉至源极之上。电荷泵可在低至2.7V的输入电压下工作，且仅需非常小的电源电流。

驱动器控制电源开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌并减少相关的电磁干扰（EMI），驱动器采用了控制输出电压上升时间和下降时间的电路。上升和下降时间通常在2ms至9ms范围内。

逻辑使能在EN端为逻辑低电平时禁用电源开关、电荷泵偏置、驱动器和其他电路，将电源电流降低至小于10微安。EN端的逻辑高输入恢复驱动器和控制电路的偏置并开启电源。使能输入与TTL和CMOS逻辑电平兼容。

当遇到过流或过温情况时，OC开漏输出被置位（低电平有效）。输出将保持置位状态，直到过流或过温情况消除。

感测FET监测提供给负载的电流。感测FET比传统电阻方法更有效地测量电流。当遇到过载或短路时，电流感测电路向驱动器发送控制信号。驱动器进而降低栅极电压并将功率FET驱动到其饱和区域，从而将输出切换到恒流模式，并在负载电压变化时保持电流恒定。

内部热感测电路在结温升至约140°C时关闭电源开关。热感测电路内置了迟滞功能。设备冷却约20°C后，开关重新开启。

• 33毫欧（5V输入）高端MOSFET开关
• 短路和热保护
• 过流逻辑输出
• 工作范围：2.7V至5.5V
• 逻辑电平使能输入
• 典型上升时间：6.1ms
• 欠压锁定
• 最大待机电源电流：10微安
• 无漏源背栅二极管
• 提供8引脚SOIC和PDIP封装
• 环境温度范围：–40°C至85°C
• 2kV人体模型和200V机器模型ESD保护
• UL认证 – 文件编号E169910