Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S34ML02G100BHV000Z
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C21203622
Price: 12.2 CNY
Availability: OutOfStock

密度：1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
架构：输入/输出总线宽度为8位/16位
页面大小：
- x8 = 2112(2048 + 64) 字节；64字节为备用区域
- x16 = 1056(1024 + 32) 字；32字为备用区域
块大小：64页
- x8 = 128k + 4k 字节
- x16 = 64k + 2k 字
平面大小：
- 1 Gbit / 2 Gbit：每个平面1024块
  - x8 = 128M + 4M 字节
  - x16 = 64M + 2M 字
- 4 Gbit：每个平面2048块
  - x8 = 256M + 8M 字节
  - x16 = 128M + 4M 字
器件大小：
- 1 Gbit：每个器件1个平面或128 M字节
- 2 Gbit：每个器件2个平面或256 M字节
- 4 Gbit：每个器件2个平面或512 M字节
页面读取/编程：
- 随机访问：25μs（最大）
- 顺序访问：25 ns（最小）
- 编程时间/多平面编程时间：200μs（典型）
块擦除（S34ML01G1）：
- 块擦除时间：2.0 ms（典型）
块擦除/多平面擦除（S34ML02G1、S34ML04G1）：
- 块擦除时间：3.5 ms（典型）
NAND闪存接口：
- 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
- 地址、数据和命令复用
电源电压：
- 3.3V器件：Vcc = 2.7V ~ 3.6V
安全：
- 一次性可编程（OTP）区域
- 电源转换期间禁用硬件编程/擦除
附加特性：
- 2 Gb和4 Gb器件支持多平面编程和擦除命令
- 支持回写编程

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	2Gbit
	接口类型	-
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	200us

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能

S34ML02G100BHV000Z

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商品特性

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