UPD44164185BF5-E33Y-EQ3-A

μPD44164095B是一款2,097,152字×9位的同步双倍数据速率静态随机存取存储器（SRAM），μPD44164185B是一款1,048,576字×18位的同步双倍数据速率静态随机存取存储器。它们采用先进的CMOS技术，使用全CMOS六晶体管存储单元制造。μPD44164095B和μPD44164185B集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有由输入时钟对（K和K#）控制的输入寄存器在K和K#的上升沿锁存。这些产品适用于需要同步操作、高速、低电压、高密度和宽位配置的应用。这些产品采用165引脚塑料BGA封装。

• 1.8 ± 0.1 V电源供电
• 165引脚塑料BGA（13×15）封装
• HSTL接口
• 具有PLL电路，可实现宽输出数据有效窗口和未来频率扩展
• 独立的读写数据端口
• 每个周期启动DDR读写操作
• 流水线双倍数据速率操作
• 独立的数据输入/输出总线
• 双时钟突发，适用于低DDR事务大小
• 两个输入时钟（K和K#），仅在时钟上升沿实现精确的DDR时序
• 两个输出时钟（C和C#），用于精确的飞行时间和时钟偏移匹配，时钟和数据一起传输到接收设备
• 内部自定时写控制
• 时钟停止功能，时钟恢复后20 μs内恢复正常操作
• 用户可编程阻抗输出（35至70 Ω）
• 快速时钟周期时间：3.3 ns（300 MHz）、3.5 ns（287 MHz）、4.0 ns（250 MHz）、5.0 ns（200 MHz）
• 简单的控制逻辑，便于深度扩展
• 兼容JTAG 1149.1测试访问端口