- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLS96400A-25EWBLI
576Mb Separate I/O RLDRAM 2 Memory，533MHz DDR 操作，差分输入时钟，38.4Gb/s 峰值带宽
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLS96400A-25EWBLI
- 商品编号
- C21175619
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x18）
- 减少周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体16K刷新；每32ms必须总共发出128K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 封装：144球WBGA（无铅）
- 配置：64Mx9、32Mx18
- 时钟周期时序：差分输入时钟（CK、CK#）、差分输入数据时钟（DKx、DKx#）、片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C ~ +95°C）；工业级（TC = -40°C ~ +95°C；TA = -40°C ~ +85°C）
- IS49RL36320-107EBL
- IS4R-120A-R-10K
- ISL28006FH-50EVAL1Z
- ISL32433EIBZ-T
- ISL80112EVAL1Z
- IX30G-A-10S-CVL1(7.0)
- IXD1216B202MR-G
- IXD1415CC12MR-G
- IXD1415CC32ER-G
- IXD1415CC42ER-G
- IXD1504A1517R-G
- J-150-180
- J-410-180
- J006-CE20PHR30
- J006-CG30750S3
- J035-L1C1BLU0D
- J035-L1C1GRN0T
- JA3102A-18-J1SC-R
- JANTXV1N4148UBCD/TR
- JBPT0001Z
- JBXEA1G06FQSDS