商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 500ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 70mA |
商品概述
2102、2102 - 1和2102 - 2是采用低阈值n沟道硅栅技术制造的静态随机存取读写存储器。
商品特性
- 完全静态
- 无需时钟
- 完全兼容DTL/TTL
- 单5V电源供电
- 具备三态输出，可进行线或连接
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 500ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 70mA |
2102、2102 - 1和2102 - 2是采用低阈值n沟道硅栅技术制造的静态随机存取读写存储器。