商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用领域。产品阵容广泛，涵盖紧凑型、高功率型和复合型，以满足市场的各种需求。
商品特性
- 4V驱动型N沟道功率MOSFET
应用领域
- DC/DC电源
- RT001412PKNH03-K
- RT0W61419SNH03SS-K
- RT8130BGQW
- RTS710ND4S0332
- RTS714ND12S0332
- RTS716ND26S03
- S-1213B80H-E8T1U7
- S-1213BC0H-V5T2U7
- S-1222B25-M5T1U
- S1008-122G
- S1008-391G
- S1008R-121K
- S1008R-183F
- S1008R-392H
- S10K0C-P02MJG0-3000
- S10K0C-P09MCC0-5000
- S10L0C-P09MCC0-5200
- S10L0C-P10MCC9-5200
- S10YBR-P09XCD0-0000
- S11F1C-P03MPH0-2500
- S11F1C-P05MJG0-3000