T3A33BRG-H9C0002X1U1930
T3A33BRG-H9C0002X1U1930
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- 品牌名称
- Harvatek(宏齐)
- 商品型号
- T3A33BRG-H9C0002X1U1930
- 商品编号
- C21063653
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 发光二极管/LED | |
| 灯头类型 | - | |
| 发光颜色 | 红色,绿色,蓝色 | |
| 正向压降(Vf) | - | |
| 功率 | - | |
| 正向电流 | 20mA | |
| 波长 | 615nm~630nm;460nm~476nm;515nm~535nm | |
| 峰值波长 | 630nm;518nm;465nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 二极管配置 | - | |
| 透镜颜色 | 无色透明透镜 | |
| 色温 | - | |
| 发光强度 | 1.125cd~2.85cd;560mcd~1.125cd;285mcd~715mcd | |
| 发光角度 | 120° | |
| 载带方式 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
每个直接包装盒包含5个卷轴。这5个卷轴不一定具有相同的批次号或相同的发光强度Iv、主波长λD和正向电压Vf的组合。每个卷轴都有一个标识其规格的标签;直接包装盒也有一个产品标签。注意:这是发货测试条件。备注:该产品应在正向偏置下工作。如果持续对产品施加反向电压,这种操作可能会导致迁移,从而损坏LED。
商品特性
- 静电放电(ESD)防护:GaP和AlGaAs基芯片即使在低静电放电环境中相对安全,也需要进行ESD防护。采用AlInGaP、GaN或/和InGaN基芯片的部件是静电敏感设备,在设计和组装过程中必须采取ESD防护措施。
- 睡眠和节能模式:IC支持睡眠/唤醒模式以实现节能目的。在睡眠模式下,内置振荡器和相关电路将被禁用,IC的静态电流约为1μA(典型值)。
- 命令设置:当接收到24位0的BGR数据(即蓝色[7:0]=8h00,绿色[7:0]=8h00,红色[7:0]=8h00),同时3位标志和5位调光数据均为8h'A0'(即标志[2:0]=3b101,调光[4:0]=5b00000)时,IC将进入睡眠模式。一旦接收到标志[2:0]、调光[4:0]数据不为8h"A0"的新数据,IC将从睡眠模式唤醒,唤醒后,IC内所有睡眠电路将在1ms内恢复正常工作模式。
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