STBP120CVDK6F

STBP120设备为高达+28V的输入电压提供过压保护。其低RDS(on) N沟道MOSFET开关根据中国MII通信标准YD/T 1591-2006保护连接到OUT引脚的系统免受直流电源故障的影响。

在发生输入过压情况时，该设备通过关闭内部低RDS(on) N沟道MOSFET立即断开直流电源，以防止受保护系统受损。

此外，该设备还监测自身的结温，并在结温超过指定限制时关闭内部MOSFET。

该设备可以由微控制器控制，并且还可以提供关于故障状态的状态信息。

STBP120采用小型、符合RoHS标准的TDFN-10引脚（2.5 mm x 2 mm）封装。

• 输入过压保护，高达28 V
• 集成高压N沟道MOSFET开关
• 低RDS(on)为90 mΩ
• 集成电荷泵
• 热关断保护
• 软启动功能以控制浪涌电流
• 使能输入（EN）
• 故障指示输出（FLT）
• IN输入ESD耐受电压在典型应用电路中高达±15 kV（空气放电），高达±8 kV（接触放电）（带有1 μF输入电容）（独立设备为±2 kV HBM）
• 某些过压选项符合中国通信标准YD/T 1591-2006（仅过压保护）
• 小型，符合RoHS标准的2.5 x 2 mm TDFN – 10引脚封装

• 智能手机
• 数码相机
• PDA和掌上电脑设备
• MP3播放器
• 低功耗手持设备