ST25DV04K-IER8T3

ST25DV04K、ST25DV16K和ST25DV64K器件是NFC RFID标签，分别提供4 Kbit、16 Kbit和64 Kbit的电可擦除可编程存储器（EEPROM）。它们提供两种接口。第一种是I²C串行链路，可由直流电源供电运行。第二种是射频链路，当它们作为非接触式存储器，由接收到的载波电磁波供电时激活。 在I²C模式下，用户存储器最多包含512字节、2048字节和8192字节，可分为4个灵活且可保护的区域。 在射频模式下，遵循ISO/IEC 15693或NFC论坛类型5的建议，用户存储器分别最多包含128个、512个和2048个4字节的块，可分为4个灵活且可保护的区域。 由于有一个256字节的易失性缓冲区（也称为邮箱），它们在射频和接触式环境之间提供快速传输模式。此外，GPO引脚提供数据，向接触式环境告知传入事件，如射频场检测、正在进行的射频活动或邮箱消息可用性。当外部条件允许时，还提供能量收集功能。

• I2C接口：
  • 两线I²C串行接口支持1MHz协议
  • 单电源电压：1.8V至5.5V
  • 多字节写入编程（最多256字节）
• 非接触式接口：
  • 基于ISO/IEC 15693
  • 经NFC论坛认证的NFC论坛类型5标签
  • 支持所有ISO/IEC 15693调制、编码、副载波模式和数据速率
  • 自定义快速读取访问速度高达53 Kbit/s
  • 单块和多块读取（扩展命令同理）
  • 单块和多块写入（最多4块）（扩展命令同理）
  • 内部调谐电容：28.5 pF
• 存储器：
  • 最多64 Kbit的EEPROM（取决于版本）
  • I²C接口访问字节
  • 射频接口访问4字节的块
  • 写入时间：从I²C：1字节典型值为5ms；从射频：1块典型值为5ms
  • 数据保留时间：40年
  • 写入周期耐久性：25℃时100万次写入周期；85℃时60万次写入周期；105℃时50万次写入周期；125℃时40万次写入周期
• 快速传输模式：
  • I²C和射频接口之间的快速数据传输
  • 半双工256字节专用缓冲区
• 能量收集：
  • 模拟输出引脚为外部组件供电
• 数据保护：
  • 用户存储器：1至4个可配置区域，在射频模式下可通过三个64位密码、在I²C模式下可通过一个64位密码进行读和/或写保护
  • 系统配置：在射频模式下通过一个64位密码、在I²C模式下通过一个64位密码进行写保护
• GPO：
  • 中断引脚可针对多种射频事件进行配置（场变化、存储器写入、活动、快速传输结束、用户设置/复位/脉冲）
  • 开漏或CMOS输出（取决于版本）
  • 低功耗模式（仅10球和12引脚封装）
  • 输入引脚触发低功耗模式
• 射频管理：
  • 可从I²C主机控制器启用/禁用射频命令解释器
• 温度范围：
  • 范围6：-40至85℃
  • 范围8：-40至105℃（仅UDFPN8和UDFPN12）；-40至125℃（仅SO8N和TSSOP8，射频接口最高105℃）
• 封装：
  • 8引脚、10球和12引脚封装ECOPACK2（符合RoHS标准）