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08EP08-N3GTC32-GA67

嵌入式多媒体存储与LPDDR3 DRAM集成的多芯片封装闪存存储设备，适用于移动通信系统数据存储，可减小PCB尺寸和功耗

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描述: IC FLASH RAM 8GB EMMC 136FBGA
品牌名称: Kingston(金士顿)
商品型号: 08EP08-N3GTC32-GA67
商品编号: C21052590
商品封装: FBGA-136(10x10)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ePOP设备是一种多芯片封装内存设备，它结合了JEDEC、JESD84 - B51嵌入式多媒体卡（e·MMC）和低功耗DDR3同步动态随机存取存储器（JESD209 - 3B）。e·MMC部分是一种带有e·MMC接口的嵌入式闪存存储解决方案。e·MMC控制器直接管理NAND闪存，包括错误控制、损耗均衡、IOPS优化和读取感应。该设备适用于移动通信系统的数据存储器，不仅可以减小PCB尺寸，还能降低功耗。该设备采用136球FBGA封装。

金士顿的e·MMC产品符合JEDEC e·MMC 5.1标准。这些设备是许多商业和工业应用的理想通用存储解决方案。在单个集成封装设备中，e·MMC将三级单元（TLC）NAND闪存与板载e·MMC控制器相结合，为主机系统提供了行业标准接口。集成的e·MMC控制器直接管理NAND闪存介质，从而减轻了主机处理器的这些任务，包括闪存介质错误控制、损耗均衡、NAND闪存管理和性能优化。JEDEC e·MMC标准的未来修订将始终保持向后兼容性。与主机处理器的行业标准接口也确保了跨未来NAND闪存世代的兼容性，从而在整个产品生命周期内简化了产品维护。

商品特性

嵌入式多媒体存储和LPDDR3 DRAM集成到单个多芯片封装中
封装：JEDEC 136球FBGA类型，10.0mm×10.0mm×（最大0.85mm）
工作温度范围：-25°C ~ +85°C
采用e - MMC 5.1接口的封装管理NAND闪存
与所有先前的e - MMC规范版本向后兼容
工作电压范围：VCCQ = 3.3V / 1.8V，VCC = 3.3V
工作温度（Tcase）：-25°C ~ +85°C，存储温度：-40°C ~ +85°C
符合e - MMC 5.1 JEDEC标准编号JESD84 - B51
高速e·MMC协议
可变时钟频率为0 - 200MHz
十线总线接口（时钟、1位命令、8位数据总线），可选硬件复位
支持三种不同的数据总线宽度：1位（默认）、4位、8位
总线模式：单数据传输速率：最高52MB/s（在52MHz下使用8条并行数据线）；双数据速率模式（DDR - 104）：在52MHz下最高104MB/s；高速单数据速率模式（HS - 200）：在200MHz下最高200MB/s；高速双数据速率模式（HS - 400）：在200MHz下最高400MB/s
支持备用启动操作模式，提供简单的启动序列方法
支持SLEEP/AWAKE（CMD5）
主机发起的显式睡眠模式以节省电源
增强的写保护，具有永久和部分写保护选项
多个用户数据分区，具有增强属性以提高可靠性
无错误内存访问
循环冗余码（CRC），用于可靠的命令和数据通信
内部纠错码（ECC），用于提高数据存储完整性
内部增强的数据管理算法
编程操作期间突然断电的数据保护
安全块擦除命令
增强的写保护，具有永久和部分保护选项
断电通知
现场固件更新（FFU）
生产状态感知
设备健康报告
命令排队
增强选通
缓存刷新报告
缓存屏障
后台操作控制和高优先级中断（HPI）
RPMB吞吐量改进
安全写保护
预EOL信息
最佳尺寸

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	eMMC
	配置	TLC
	接口类型	eMMC 5.1
	存储容量	8GB
	工作温度	-25℃~+85℃
	顺序读速度	280MB/S

	属性	参数值
	顺序写速度	110MB/S
	NAND工作电压(VCCF)	2.7V~3.6V
	控制器工作电压(VCCQ)	2.7V~3.6V；1.7V~1.95V
	NAND待机电流	-
	控制器待机电流	-