MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G TR
2Gb x8,x16汽车用NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G TR
- 商品编号
- C21052278
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 220us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
- 单级单元（SLC）技术
- 组织架构：
- x8页大小：2176字节（2048 + 128字节）
- x16页大小：1088字（1024 + 64字）
- 块大小：64页（128K + 8K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
- 器件大小：2Gb，2048个块
- 异步I/O性能：tRC/tWC为20ns/20ns（3.3V）
- 阵列性能：
- 读取页：70μs
- 编程页：220μs（典型值，3.3V）
- 擦除块：2ms（典型值）
- 命令集：ONFI NAND闪存协议，高级命令集
- 编程页缓存模式
- 读取页缓存模式
- 永久块锁定（块47:0）
- 一次性可编程（OTP）模式
- 块锁定
- 可编程驱动强度
- 读取唯一ID
- 内部数据移动
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败状态、写保护状态的软件方法
- Ready/Busy#（R/B#）信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号：对整个器件进行写保护
- ECC：默认禁用8位内部ECC，可使用SET FEATURE命令切换
- 工厂发货时，块7 - 0在启用ECC时有效
- 上电后首个命令需为RESET（FFh）
- 支持从读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 质量和可靠性：
- 耐久性：100,000次编程/擦除循环
- 数据保留：符合JESD47G标准，详见鉴定报告
- 额外：未循环数据保留：在85°C下24/7工作10年
- 符合AEC - Q100标准
- 选项标记：
- 密度：2Gb
- 总线宽度：x8、x16
- 工作电压范围：VCC为2.7 - 3.6V、1.7 - 1.95V
- 工作温度：从 - 40°C到 + 85°C（AIT）、从 - 40°C到 + 105°C（AAT）
- 封装：
- 63球VFBGA H4（9mm × 11mm × 1.0mm）
- 48引脚TSOP