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MF28F008-10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MF28F008-10

8Mbit闪存存储器

商品型号
MF28F008-10
商品编号
C21047480
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型Parallel
存储容量8Mbit
工作电压4.5V~5.5V
待机电流2mA
属性参数值
擦写寿命10000次
页写入时间(Tpp)9us
块擦除时间(tBE)1.6s@(64KB)
工作温度-55℃~+125℃
功能特性硬件写保护;软件写保护;上电复位;电源锁定保护

商品概述

英特尔的M28F008 8兆位闪存文件存储器是固态存储的最高密度非易失性读写解决方案。M28F008的扩展循环、对称分块架构、快速访问时间、写入自动化和低功耗特性,为传统旋转磁盘技术提供了更可靠、更低功耗、更轻重量和更高性能的替代方案。M28F008为便携式计算带来了新的能力。驻留在闪存阵列中的应用程序和操作系统软件可实现即时启动、快速就地执行,并通过系统内软件更新防止过时。驻留软件还通过减少磁盘驱动器访问来延长系统电池寿命并提高可靠性。对于高密度数据采集应用,M28F008提供了比静态随机存取存储器(SRAM)和电池更具成本效益和可靠性的替代方案。传统的高密度嵌入式应用,如电信,可以利用M28F008的非易失性、分块特性和最少的系统代码要求,实现灵活的固件和模块化软件设计。M28F008采用40引脚侧边钎焊双列直插式封装(DIP)和42引脚扁平封装。该器件使用集成命令用户界面和状态机,简化了块擦除和字节写入操作。M28F008的内存映射由16个可单独擦除的64千字节块组成。英特尔的M28F008采用先进的CMOS电路,适用于需要低功耗和抗干扰能力的系统。其100纳秒的访问时间与磁存储介质相比具有卓越的性能。深度掉电模式通过VCC将功耗降至最高500微瓦。RP电源控制输入还在系统上电/下电期间提供绝对的数据保护。M28F008采用英特尔的ETOX工艺技术制造,提供了最高水平的质量、可靠性和成本效益。

商品特性

  • 高密度对称分块架构,有16个64千字节块
  • 扩展循环能力,每个块至少10000次擦除循环,每个芯片160000次块擦除循环
  • 自动化字节写入和块擦除命令用户界面
  • 状态寄存器
  • 系统性能增强,包括RY/BY状态输出和擦除暂停能力
  • SRAM兼容写入接口
  • 高性能读取,最大访问时间100纳秒
  • 硬件数据保护功能,在电源转换期间进行擦除/写入锁定
  • 行业标准封装,包括40引脚侧边钎焊双列直插式封装和42引脚扁平封装
  • ETOX非易失性闪存技术,12V字节写入/块擦除
  • 独立软件供应商支持,如微软闪存文件系统(FFS)

应用领域

  • 便携式计算
  • 高密度数据采集
  • 电信

数据手册PDF