- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 8MHz | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 待机电流 | 2mA | |
| 擦写寿命 | 10000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 9us | |
| 块擦除时间(tBE) | 1.6s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；软件写保护；上电复位；电源锁定保护 |
商品概述
M28F008 是一款高性能的 8 Mbit 存储器，组织为 1 Mbyte，每个字节为 8 位。该器件包含十六个 64 Kbyte 的块。块擦除操作通常可在 1.6 秒内擦除十六个存储块中的一个，且独立于其余块。每个块可独立擦写 10,000 次。擦除挂起模式允许系统软件挂起块擦除以从其他任何块读取数据或执行代码。该器件采用 40 引脚侧焊 DIP 和 42 引脚扁平封装。命令用户接口充当微处理器或微控制器与 M28F008 内部操作之间的接口。字节写入和块擦除自动化允许通过向命令用户接口写入两命令序列来执行字节写入和块擦除操作。内部写入状态机自动执行字节写入和块擦除操作所需的算法和时序，包括验证，从而减轻微处理器或微控制器的负担。存储器数据的写入通常在 9μs 内以字节增量完成。Ipp 字节写入和块擦除电流最大为 30mA。Vpp 字节写入和块擦除电压为 11.4V 至 12.6V。状态寄存器指示写入状态机的状态，以及当写入状态机成功完成所需的字节写入或块擦除操作时。RY/By 输出提供了写入状态机活动的额外指示，支持状态硬件信号和状态屏蔽功能。使用 RY/By 进行状态轮询可最小化 CPU 开销和系统功耗。当 RY/By 为低电平时，表示写入状态机正在执行块擦除或字节写入操作。RY/By 为高电平时，表示写入状态机已准备好接受新命令、块擦除已挂起或器件处于深度掉电模式。当 CE 和 RP 引脚处于 VCC 电平时，启用 Icc CMOS 待机模式。当 RP 引脚接地时，启用深度掉电模式，可最小化功耗并提供写保护。深度掉电下的 Icc 电流最大为 100μA。从 RP 切换为高电平到输出有效可读取，需要 400 ns 的复位时间。等效地，器件从 RP 变高到命令用户接口的写入被 M28F008 识别，有 1μs 的唤醒时间。当 RP 接地时，写入状态机被复位且状态寄存器被清除。
商品特性
- 高密度对称分块架构，有16个64千字节块
- 扩展循环能力，每个块至少10000次擦除循环，每个芯片160000次块擦除循环
- 自动化字节写入和块擦除命令用户界面
- 状态寄存器
- 系统性能增强，包括RY/BY状态输出和擦除暂停能力
- SRAM兼容写入接口
- 高性能读取，最大访问时间100纳秒
- 硬件数据保护功能，在电源转换期间进行擦除/写入锁定
- 行业标准封装，包括40引脚侧边钎焊双列直插式封装和42引脚扁平封装
- ETOX非易失性闪存技术，12V字节写入/块擦除
- 独立软件供应商支持，如微软闪存文件系统（FFS）
应用领域
- 便携式计算
- 高密度数据采集
- 电信