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2N7002K_R1_00001
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- SOT23
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002K_R1_00001
- 商品编号
- C192641
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 10 V、漏极电流（IDS）为 500 mA 时，导通电阻（RDS(ON)） = 3 Ω
- 栅源电压（VGS）为 4.5 V、漏极电流（IDS）为 200 mA 时，导通电阻（RDS(ON)） = 4 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计，适用于继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等
- 静电放电（ESD）防护达 2 KV 人体模型（HBM）
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑化合物（无卤素）
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